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BUK7608-55,118

更新时间： 2024-11-26 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 56K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7608-55,118 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.12Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.008 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：440 pF
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：187 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON最大关闭时间（toff）：210 ns
最大开启时间（吨）：145 nsBase Number Matches：1

BUK7608-55,118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
BUK7608-55  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting. Using  
’trench’ technology the device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in automotive and  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
55  
75  
187  
175  
8
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
general  
purpose  
switching  
applications.  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
source  
g
3
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
16  
75  
65  
240  
187  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
-
-
0.8  
K/W  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
ambient  
Minimum footprint, FR4  
board  
50  
-
K/W  
April 1998  
1
Rev 1.000  
12345678

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BUK7608-55,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK7608-55A,118 NXP

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 		TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
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