5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ESD PROTECTION | 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 69 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7614-30118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK7614-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7614-55,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7614-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| BUK7614-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7614-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 73 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
|
| BUK7614-55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 68A I(D) | SOT-404 |
|
| BUK76150-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7615-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7615-100A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK7615-100A - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
