BUK7613-75B

更新时间： 2024-11-23 12:50:03

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
15页	298K
描述
TrenchMOS standard level FET

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BUK7613-75B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.25
雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A	最大漏极电流 (ID)：	75 A
最大漏源导通电阻：	0.013 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	157 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	304 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7613-75B 数据手册

BUK75/7613-75B

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 14 April 2003

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

Product availability:

BUK7513-75B in SOT78 (TO-220AB)

BUK7613-75B in SOT404 (D²-PAK).

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 175 °C rated

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V, 24 V, and 42 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 125 mJ

■ I_D≤ 75 A

■ R_DSon= 11.7 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 157 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT78 and SOT404 simpliﬁed outlines and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

[1]

drain (d)

source (s)

mounting base,

connected to

drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.

12 3 4 5 6 7...15

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BUK7613-75B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7613-75B,118	NXP	类似代替	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

与BUK7613-75B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7613-75B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7614-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7614-30,118	NXP	获取价格	69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK7614-30118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK7614-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7614-55,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7614-55/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK7614-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7614-55A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 73 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK7614-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 68A I(D) \| SOT-404

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