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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | D2PAK | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 75 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7616-55A | NXP |
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TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7616-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 65.7 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge |
|
| BUK7618-30 | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7618-30 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK7618-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7618-55/T3 | NXP |
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57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
|
| BUK7618-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 57A I(D) | SOT-404 |
|
| BUK7619-100B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7619-100B,118 | NXP |
获取价格 |
BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK761R4-30E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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