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BUK7619-100B

更新时间： 2024-11-23 04:09:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
12页	93K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK7619-100B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	222 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	64 A	最大漏极电流 (ID)：	64 A
最大漏源导通电阻：	0.019 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	200 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	256 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7619-100B 数据手册

BUK7619-100B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 01 — 10 October 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package

using NXP High Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

1.2 Features

I TrenchMOS technology

I Q101 compliant

I 175 °C rated

I Standard level compatible

1.3 Applications

I Automotive systems

I General purpose power switching

I 12 V, 24 V and 42 V loads.

I Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

I E_DS(AL)S≤ 222 mJ

I I_D≤ 64 A

I R_DSon= 17 mΩ (typ)

I P_tot≤ 200 W

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (G)

drain (D)

source (S)

mounting base; connected to drain (D)

mbb076

SOT404 (D2PAK)

12 3 4 5 6 7...12

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