是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | PLASTIC PACKAGE-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.23 | 雪崩能效等级(Eas): | 80 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 45 A |
最大漏极电流 (ID): | 45 A | 最大漏源导通电阻: | 0.024 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 180 pF |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 103 W | 最大功率耗散 (Abs): | 103 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 60 ns | 最大开启时间(吨): | 53 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK7626-100B | NXP |
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TrenchMOS standard level FET | |
BUK7626-100B,118 | ETC |
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MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK | |
BUK7628-100A | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET | |
BUK7628-100A,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin | |
BUK7628-55 | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET | |
BUK7628-55/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 40 A, 55 V, 0.028 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | |
BUK7628-55A | NXP |
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TrenchMOS transistor standard level FET | |
BUK7628-55A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK7628-55A - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin | |
BUK7628-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 40A I(D) | SOT-404 | |
BUK762R0-40C | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |