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BUK761R7-40E

更新时间： 2024-11-24 11:11:55
品牌 Logo 应用领域
安世 - NEXPERIA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 714K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction

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BUK761R7-40E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：801 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.0016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：1306 A
参考标准：AEC-Q101; IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK761R7-40E 数据手册

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BUK761R7-40E  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
19 May 2016  
Product data sheet  
1. General description  
Standard level N-channel MOSFET in a SOT404A package using TrenchMOS  
technology. This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use  
in high performance automotive applications.  
2. Features and benefits  
AEC Q101 compliant  
Repetitive avalanche rated  
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating  
True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1 V at 175 °C  
•
•
•
•
3. Applications  
12 V Automotive systems  
•
•
•
•
•
•
Electric and electro-hydraulic power steering  
Motors, lamps and solenoid control  
Start-Stop micro-hybrid applications  
Transmission control  
Ultra high performance power switching  
4. Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
40  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
25 °C ≤ Tj ≤ 175 °C  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; Fig. 2  
-
-
-
-
-
-
[1]  
120  
324  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 1  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 11  
-
-
1.32  
34.7  
1.6  
-
mΩ  
nC  
ID = 25 A; VDS = 32 V; VGS = 10 V;  
Fig. 13; Fig. 14  
[1] Continuous current is limited by package.  
 
 
 
 
 
1234567...13

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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