5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.22 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 45 A | 最大漏极电流 (ID)： | 45 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.024 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 180 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 103 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 103 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 180 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 60 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 53 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUK7624-55A | NXP |
功能相似  |
TrenchMOS standard level FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7624-55,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7624-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gen |
|
| BUK7624-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7624-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7624-55T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 45 A, 55 V, 0.024 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC PACKAGE-3, FET Gen |
|
| BUK7626-100B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7626-100B,118 | ETC |
获取价格 |
MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK |
|
| BUK7628-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7628-100A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7628-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
