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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 45 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 34 A | 最大漏极电流 (ID)： | 34 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 140 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 85 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 136 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 64 ns | 最大开启时间（吨）： | 66 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7635-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 34 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK7635-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7635-55A | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK7635-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK7635-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 34A I(D) | SOT-404 |
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| BUK763R1-40B | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
|
| BUK763R1-40B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK763R1-60E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
|
| BUK763R6-40C | NXP |
获取价格 |
100A, 40V, 0.0036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
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| BUK763R6-40C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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