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BUK7620-55A

更新时间： 2024-11-23 20:27:43

品牌	Logo	应用领域
飞利浦 - PHILIPS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
15页	128K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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BUK7620-55A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.71
Is Samacsys：	N	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	54 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	118 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

BUK7620-55A 数据手册

BUK7520-55A; BUK7620-55A

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 18 January 2001

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.

Product availability:

BUK7520-55A in SOT78 (TO-220AB)

BUK7620-55A in SOT404 (D ²-PAK).

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Q101 compliant

■ 175 °C rated

■ Standard level compatible.

3. Applications

■ Automotive and general purpose power switching:

◆ 12 V and 24 V loads

◆ Motors, lamps and solenoids.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

12 3 4 5 6 7...15

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