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BUK7623-75A,118

更新时间： 2024-11-23 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 185K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7623-75A,118 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.19Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：120 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：75 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：53 A最大漏极电流 (ID)：53 A
最大漏源导通电阻：0.023 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：138 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：213 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7623-75A,118 数据手册

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BUK7623-75A  
AK  
D2P  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 2 — 2 February 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to  
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for standard level gate drive  
sources  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V, 24 V and 42 V loads  
„ Motors, lamps and solenoids  
„ Automotive and general purpose  
power switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
75  
V
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1; see Figure 3  
53  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
138  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 175 °C; see Figure 12;  
see Figure 13  
-
-
-
49  
23  
mΩ  
mΩ  
on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
17  
Tj = 25 °C; see Figure 12;  
see Figure 13  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S  
non-repetitive  
drain-source  
ID = 49 A; Vsup ≤ 75 V;  
RGS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
-
-
120 mJ  
avalanche energy Tj(init) = 25 °C; unclamped  
 
 
 
 
 
1234567...13

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