Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK761R8-30C

BUK761R8-30C

更新时间： 2024-11-23 02:55:03

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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15页	204K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK761R8-30C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	1700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	100 A	最大漏极电流 (ID)：	312 A
最大漏源导通电阻：	1800 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	333 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1249 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK761R8-30C 数据手册

BUK761R8-30C

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 20 August 2007

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package,

using NXP Ultra High-Performance (UHP) automotive TrenchMOS technology.

1.2 Features

175 °C rated

Standard level compatible

Q101 compliant

TrenchMOS technology

1.3 Applications

12 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

[1][2]

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

100

see Figure 1 and 4

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

333

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12 and

1.5

1.8

1.7

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

I_D= 100 A; V_sup≤ 30 V;

drain-sourceavalanche R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

energy T_j(init)= 25 °C

[1] Refer to document 9397 750 12572 for further information.

[2] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...15

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK761R8-30C,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7620-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7620-100A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7620-100A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 63 A, 100 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK7620-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7620-55A	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Trench
BUK7620-55A	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK7620-55A,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7620-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 52A I(D) \| SOT-404
BUK7621-30	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET

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