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BUK7619-100B,118

更新时间： 2024-11-23 14:48:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
12页	94K
描述
BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7619-100B,118 技术参数

Source Url Status Check Date：	2013-06-14 00:00:00	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	D2PAK
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
Base Number Matches：	1

BUK7619-100B,118 数据手册

BUK7619-100B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 01 — 10 October 2007

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

N-channel enhancement mode power Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package

using NXP High Performance Automotive (HPA) TrenchMOS technology.

1.2 Features

I TrenchMOS technology

I Q101 compliant

I 175 °C rated

I Standard level compatible

1.3 Applications

I Automotive systems

I General purpose power switching

I 12 V, 24 V and 42 V loads.

I Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

I E_DS(AL)S≤ 222 mJ

I I_D≤ 64 A

I R_DSon= 17 mΩ (typ)

I P_tot≤ 200 W

2. Pinning information

Table 1.

Pinning

Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (G)

drain (D)

source (S)

mounting base; connected to drain (D)

mbb076

SOT404 (D2PAK)

12 3 4 5 6 7...12

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