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BUK7618-30

更新时间： 2024-11-26 20:14:47
品牌 Logo 应用领域
飞利浦 - PHILIPS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 48K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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BUK7618-30 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.82Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：55 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：103 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

BUK7618-30 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Standard level FET  
BUK7618-30  
GENERAL DESCRIPTION  
QUICK REFERENCE DATA  
N-channel enhancement mode  
standard level field-effect power  
transistor in a plastic envelope  
suitable for surface mounting using  
’trench’ technology. The device  
features very low on-state resistance  
and has integral zener diodes giving  
ESD protection up to 2kV. It is  
intended for use in automotive and  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX.  
UNIT  
VDS  
ID  
Ptot  
Tj  
Drain-source voltage  
Drain current (DC)  
Total power dissipation  
Junction temperature  
Drain-source on-state  
30  
55  
103  
175  
18  
V
A
W
˚C  
mΩ  
RDS(ON)  
resistance  
VGS = 10 V  
general  
purpose  
switching  
applications.  
PINNING - SOT404  
PIN CONFIGURATION  
SYMBOL  
PIN  
1
DESCRIPTION  
d
mb  
gate  
2
drain  
source  
g
3
2
mb drain  
s
1
3
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDS  
VDGR  
±VGS  
ID  
ID  
IDM  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
30  
20  
55  
38  
220  
103  
175  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
RGS = 20 kΩ  
-
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
-
Drain current (DC)  
Drain current (pulse peak value)  
Total power dissipation  
Storage & operating temperature  
Ptot  
Tstg, Tj  
- 55  
THERMAL RESISTANCES  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
TYP.  
MAX.  
UNIT  
Rth j-mb  
Rth j-a  
Thermal resistance junction to  
mounting base  
Thermal resistance junction to  
ambient  
-
-
1.45  
K/W  
minimum footprint, FR4  
board  
50  
-
K/W  
ESD LIMITING VALUE  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VC  
Electrostatic discharge capacitor  
voltage, all pins  
Human body model  
(100 pF, 1.5 kΩ)  
-
2
kV  
December 1997  
1
Rev 1.100  
12345678

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与BUK7618-30相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK7618-55 NXP

获取价格

 		TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7618-55/T3 NXP

获取价格

 		57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
BUK7618-55T/R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 57A I(D) | SOT-404
BUK7619-100B NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK7619-100B,118 NXP

获取价格

 		BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK761R4-30E NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R6-40E NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK761R7-40E NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET
BUK761R7-40E NEXPERIA

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK761R7-40E,118 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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