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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.13 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 125 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 57 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 250 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 228 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 88 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 82 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7618-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 57A I(D) | SOT-404 |
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| BUK7619-100B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7619-100B,118 | NXP |
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BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK761R4-30E | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK761R6-40E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK761R7-40E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK761R7-40E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK761R7-40E,118 | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK761R8-30C | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK761R8-30C,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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