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BUK7613-75B,118

更新时间： 2024-11-26 19:59:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	166K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7613-75B,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	157 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	304 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7613-75B,118 数据手册

BUK7613-75B

D2P

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 3 — 27 December 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V, 24 V and 42 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C; see Figure 1;

see Figure 3

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

157

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

see Figure 11; see Figure 12

11.7

mΩ

Q_GD

gate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 60 V;

T_j= 25 °C; see Figure 13

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive drain-source

avalanche energy

I_D= 75 A; V_sup≤ 75 V; R_GS= 50 Ω;

125

V_GS= 10 V; T_j(init)= 25 °C; unclamped

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7613-75B	NXP	类似代替	TrenchMOS standard level FET

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BUK7614-30,118	NXP	获取价格	69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
BUK7614-30118	NXP	获取价格	TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK7614-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7614-55,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7614-55/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
BUK7614-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7614-55A/T3	NXP	获取价格	TRANSISTOR 73 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK7614-55T/R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 68A I(D) \| SOT-404
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