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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, D2PAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 120 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 65.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 65.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.016 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 138 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 263 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7616-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 65.7 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge |
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| BUK7618-30 | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7618-30 | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK7618-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7618-55/T3 | NXP |
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57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3 |
|
| BUK7618-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 57A I(D) | SOT-404 |
|
| BUK7619-100B | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7619-100B,118 | NXP |
获取价格 |
BUK7619-100B - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK761R4-30E | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK761R6-40E | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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