Source Url Status Check Date: | 2013-06-14 00:00:00 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.16 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 55 V | 最大漏极电流 (ID): | 68 A |
最大漏源导通电阻: | 0.014 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 270 pF | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 142 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 240 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | 最大关闭时间(toff): | 105 ns |
最大开启时间(吨): | 111 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
BUK9614-55A,118 | NXP |
类似代替 |
N-channel TrenchMOS logic level FET D2PAK 3-Pin | |
BUK9614-55A | NXP |
类似代替 |
TrenchMOS logic level FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BUK7614-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | |
BUK7614-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET | |
BUK7614-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 73 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene | |
BUK7614-55T/R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 68A I(D) | SOT-404 | |
BUK76150-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET | |
BUK7615-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET | |
BUK7615-100A,118 | NXP |
获取价格 |
BUK7615-100A - N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin | |
BUK7616-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET | |
BUK7616-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 65.7 A, 55 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Ge | |
BUK7618-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |