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BUK7611-55A/T3 PDF预览

BUK7611-55A/T3

更新时间： 2024-11-23 19:58:35
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 131K
描述
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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BUK7611-55A/T3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：PLASTIC, D2PAK-3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.16雪崩能效等级（Eas）：211 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：247 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK7611-55A/T3 数据手册

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BUK7511-55A; BUK7611-55A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 1 February 2001  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7511-55A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7611-55A in SOT404 (D 2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Standard level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V and 24 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78, SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
 
 
 
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BUK7611-55A/T3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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