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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 37 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 58 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.013 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 234 A | 参考标准： | AEC-Q101; IEC-60134 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7613-75B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7613-75B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK7614-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7614-30,118 | NXP |
获取价格 |
69A, 30V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| BUK7614-30118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK7614-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
|
| BUK7614-55,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7614-55/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 68 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK7614-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7614-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 73 A, 55 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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