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BUK7611-55B

更新时间： 2024-11-27 11:13:23
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安世 - NEXPERIA /
页数 文件大小 规格书
14页 755K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction

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BUK7611-55B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：173 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.011 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：338 A
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7611-55B 数据手册

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BUK7611-55B  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 3 — 31 January 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to  
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for standard level gate drive  
sources  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V and 24 V loads  
„ Automotive systems  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source  
voltage  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
-
-
55  
V
[1]  
ID  
drain current  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 1; see Figure 3  
75  
A
Ptot  
total power  
dissipation  
Tmb = 25 °C; see Figure 2  
157  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11;  
see Figure 12  
-
9.9  
11  
mΩ  
on-state  
resistance  
1234567...14

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK7611-55B,118 NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7613-100E NXP

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 		72A, 100V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3/2
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 		TrenchMOS transistor Standard level FET

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