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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 560 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 75 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 75 A | 最大漏源导通电阻： | 0.009 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 440 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7610-100B | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS⑩ standard level FET |
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| BUK7610-100B,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK7610-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7610-30,118 | NXP |
获取价格 |
75A, 30V, 0.0105ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| BUK7610-30118 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 30 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| BUK7610-55AL | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7610-55AL_08 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7611-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7611-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
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| BUK7611-55A/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
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