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STP150NF04 PDF预览

STP150NF04

更新时间： 2024-11-24 14:58:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
12页 392K
描述
N沟道40 V、0.005 Ohm、80 A STripFET(TM) II功率MOSFET，TO-220封装

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STP150NF04 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：2.27
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e3
最高工作温度：175 °C峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

STP150NF04 数据手册

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STP150NF04  
N-channel 40 V, 0.005 Ω typ., 80 A STripFET™II Power MOSFET  
in a TO-220 package  
Datasheet — production data  
Features  
RDS(on)  
max  
Type  
VDSS  
ID  
TAB  
STP150NF04  
40 V  
< 0.007 Ω  
80 A  
■ 100% avalanche tested  
■ Standard level gate drive  
3
2
1
TO-220  
Applications  
■ Switching applications  
Description  
This Power MOSFET has been developed using  
STMicroelectronics’ unique STripFET process,  
which is specifically designed to minimize input  
capacitance and gate charge. This renders the  
device suitable for use as primary switch in  
advanced high-efficiency isolated DC-DC  
converters for telecom and computer applications,  
and applications with low gate charge driving  
requirements.  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
$ꢅꢆꢇ 4!"ꢈ  
'ꢅꢁꢈ  
3ꢅꢉꢈ  
!-ꢀꢁꢂꢃꢄVꢁ  
Table 1.  
Order code  
STP150NF04  
Device summary  
Marking  
Package  
TO-220  
Packaging  
P150NF04  
Tube  
October 2012  
Doc ID 14848 Rev 3  
1/12  
This is information on a product in full production.  
www.st.com  
12  
1234567...12

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STP150NF04 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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