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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 17页 | 925K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.308 Ω typ., 11 A MDmesh⢠V Power MOSFET in TO-220FP, I2PAKFP and TO-220 packages | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 17 weeks |
| 风险等级： | 2.28 | 雪崩能效等级（Eas）： | 160 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| SIHP12N60E-GE3 | VISHAY |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STP15N80K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO |
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| STP15N95K5 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道950 V、0.41 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，T |
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| STP15NK50Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA |
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| STP15NK50Z_07 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 500V - 0.30Ω - 14A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STP15NK50ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA |
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| STP15NM60N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO |
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| STP15NM60ND | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II |
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| STP15NM65N | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STP-1600-2115 | BEL |
获取价格 |
Toroidal Power Transformer, 1600VA, ROHS COMPLIANT |
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| STP160N3LL | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道30 V、2.5 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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