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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.65 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH VOLTAGE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.34 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -50 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STP15NK50Z_07 | STMICROELECTRONICS | N-channel 500V - 0.30Ω - 14A TO-220/FP/D2PAK/ |
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| STP15NK50ZFP | STMICROELECTRONICS | N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA |
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| STP15NM60N | STMICROELECTRONICS | N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO |
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| STP15NM60ND | STMICROELECTRONICS | N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II |
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| STP15NM65N | STMICROELECTRONICS | N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP - |
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| STP-1600-2115 | BEL | Toroidal Power Transformer, 1600VA, ROHS COMPLIANT |
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