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SIHP12N60E-GE3 PDF预览

SIHP12N60E-GE3

更新时间： 2024-11-12 21:05:19
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 295K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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SIHP12N60E-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.08雪崩能效等级（Eas）：117 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：0.38 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：147 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：27 A
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHP12N60E-GE3 数据手册

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SiHP12N60E  
Vishay Siliconix  
www.vishay.com  
E Series Power MOSFET  
FEATURES  
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V) at TJ max.  
DS(on) max. at 25 °C (Ω)  
Qg max. (nC)  
650  
• Low input capacitance (Ciss  
)
R
VGS = 10 V  
0.38  
• Reduced switching and conduction losses  
• Ultra low gate charge (Qg)  
58  
6
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Available  
• Avalanche energy rated (UIS)  
Q
13  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
Configuration  
Single  
APPLICATIONS  
D
• Server and telecom power supplies  
• Switch mode power supplies (SMPS)  
• Power factor correction power supplies (PFC)  
• Lighting  
TO-220AB  
G
- High-intensity discharge (HID)  
- Fluorescent ballast lighting  
• Industrial  
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
- Welding  
- Induction heating  
- Motor drives  
- Battery chargers  
- Renewable energy  
- Solar (PV inverters)  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220AB  
Lead (Pb)-free  
SiHP12N60E-E3  
SiHP12N60E-GE3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
600  
V
VGS  
30  
T
C = 25 °C  
12  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
VGS at 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
7.8  
A
Pulsed Drain Current a  
IDM  
27  
Linear Derating Factor  
Single Pulse Avalanche Energy b  
1.2  
W/°C  
mJ  
W
EAS  
PD  
117  
Maximum Power Dissipation  
147  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Drain-Source Voltage Slope  
Reverse Diode dV/dt d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
°C  
TJ = 125 °C  
for 10 s  
70  
5
dV/dt  
V/ns  
°C  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) c  
300  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature.  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 11.6 mH, Rg = 25 Ω, IAS = 4.5 A.  
c. 1.6 mm from case.  
d. ISD ≤ ID, dI/dt = 100 A/μs, starting TJ = 25 °C.  
S15-0277-Rev. D, 23-Feb-15  
Document Number: 91479  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

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