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STP15N06LFI

更新时间： 2024-11-22 22:42:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 198K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STP15N06LFI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ISOWATT220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.89
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：40 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 A
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.15 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

STP15N06LFI 数据手册

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STP15N06L  
STP15N06LFI  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STP15N06L  
STP15N06LFI  
60 V  
60 V  
< 0.15 Ω  
< 0.15 Ω  
15 A  
10 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.115 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
2
1
1
LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
TO-220  
ISOWATT220  
CHARACTERIZATION  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STP15N06L  
STP15N06LFI  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
60  
60  
V
V
± 15  
V
15  
10  
10  
7
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
60  
60  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
70  
35  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.47  
0.23  
2000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 175  
175  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
July 1993  
1234567...10

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与STP15N06LFI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP15N60M2-EP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSF
STP15N65M5 STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650 V, 0.308 Ω typ., 11 A MDmeshâ„
STP15N80K5 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道800 V、0.3 Ohm典型值、14 A MDmesh K5功率MOSFET，TO
STP15N95K5 STMICROELECTRONICS

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 		N沟道950 V、0.41 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，T
STP15NK50Z STMICROELECTRONICS

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 		N-CHANNEL500V-0.30ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PA
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 		N-channel 600V - 0.270ヘ - 14A - D2/I2PAK - TO
STP15NM60ND STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 600 V - 0.27 Ω - 14 A - FDmesh™ II
STP15NM65N STMICROELECTRONICS

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 		N-channel 650V - 0.25ヘ - 15.5A - TO-220/FP -

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