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STP150NF55

更新时间： 2024-11-22 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
14页 552K
描述
N-CHANNEL 55V - 0.005 ohm -120A DPAK/TO-220/TO-247 STripFET⑩ II POWER MOSFET

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STP150NF55 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：12 weeks
风险等级：1.68Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：850 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：120 A最大漏极电流 (ID)：120 A
最大漏源导通电阻：0.006 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：480 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STP150NF55 数据手册

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STB150NF55 STP150NF55  
STW150NF55  
N-CHANNEL 55V - 0.005 Ω -120A D²PAK/TO-220/TO-247  
STripFET™ II POWER MOSFET  
AUTOMOTIVE SPECIFIC  
V
DSS  
R
I
D
TYPE  
DS(on)  
STB150NF55  
STP150NF55  
STP150NF55  
55 V  
55 V  
55 V  
<0.006 Ω  
<0.006 Ω  
<0.006 Ω  
120 A(**)  
120 A(**)  
120 A(**)  
■
■
TYPICAL R (on) = 0.005 Ω  
DS  
3
1
2
SURFACE-MOUNTING D PAK (TO-263)  
POWER PACKAGE  
2
D PAK  
TO-263  
(Suffix “T4”)  
TO-247  
DESCRIPTION  
This Power MOSFET is the latest development of  
STMicroelectronis unique "Single Feature Size™"  
strip-based process. The resulting transistor  
shows extremely high packing density for low on-  
resistance, rugged avalanche characteristics and  
3
2
1
TO-220  
less critical alignment steps therefore  
remarkable manufacturing reproducibility.  
a
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SWITCHING SPEED  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
AUTOMOTIVE  
Ordering Information  
SALES TYPE  
STB150NF55T4  
STP150NF55  
MARKING  
B150NF55  
P150NF55  
W150NF55  
PACKAGE  
D PAK  
TO-220  
TO-247  
PACKAGING  
TAPE & REEL  
2
TUBE  
TUBE  
STW150NF55  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Drain-source Voltage (V = 0)  
GS  
Value  
55  
55  
Unit  
V
V
V
DS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
Gate- source Voltage  
Drain Current (continuous) at T = 25°C  
Drain Current (continuous) at T = 100°C  
± 20  
120  
106  
480  
300  
2.0  
8
V
A
A
A
GS  
I (**)  
D
C
I
D
C
I
(•)  
Drain Current (pulsed)  
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
tot  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
mJ  
(1)  
(2)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Single Pulse Avalanche Energy  
Storage Temperature  
dv/dt  
E
850  
AS  
T
stg  
-55 to 175  
°C  
T
Operating Junction Temperature  
j
(•) Pulse width limited by safe operating area.  
(**) Current Limited by Package  
(1) I ≤120A, di/dt ≤200A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
JMAX  
SD  
DD  
(BR)DSS  
j
o
(2) Starting T = 25 C, I = 60 A, V = 30V  
j
D
DD  
October 2002  
1/14  
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STP150NF55 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BUK7506-55A,127 NXP

功能相似

 N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

与STP150NF55相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STP155N75F4 STMICROELECTRONICS

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 		120A, 75V, 0.0058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PI
STP15N05L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP15N05LFI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
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