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BUK7607-30B

更新时间: 2024-11-26 09:02:23
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恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
15页 277K
描述
TrenchMOS standard level FET

BUK7607-30B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred包装说明:PLASTIC, D2PAK-3
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.24
雪崩能效等级(Eas):329 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.007 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):157 W最大脉冲漏极电流 (IDM):435 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK7607-30B 数据手册

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BUK75/7607-30B  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 07 April 2003  
Product data  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
BUK7507-30B in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7607-30B in SOT404 (D2-PAK).  
1.2 Features  
Very low on-state resistance  
175 °C rated  
Q101 compliant  
Standard level compatible.  
1.3 Applications  
Automotive systems  
12 V loads  
Motors, lamps and solenoids  
General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
EDS(AL)S 329 mJ  
ID 75 A  
RDSon = 5.9 m(typ)  
Ptot 157 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT78 and SOT404 simplified outlines and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
[1]  
2
drain (d)  
d
3
source (s)  
mb  
mounting base,  
connected to  
drain (d)  
g
2
s
MBB076  
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  

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