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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | PLASTIC, D2PAK, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.2 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 241 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 101 A | 最大漏极电流 (ID)： | 101 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 157 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 407 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUK7608-40B | NXP |
类似代替  |
TRENCHMOS-TM STANDARD LEVELl FET |
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| IPB100N04S3-03 | INFINEON |
功能相似 |
OptiMOS-T Power-Transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7608-40B/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,101A I(D),TO-263AB |
|
| BUK7608-40B_15 | NXP |
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N-channel TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7608-55 | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7608-55,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7608-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK7608-55A | NEXPERIA |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FETProduction |
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| BUK7608-55A,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin |
|
| BUK7608-55A/T3 | NXP |
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene |
|
| BUK7608-55T/R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-404 |
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| BUK7609-55A | NXP |
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TrenchMOS standard level FET |
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