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BUK7607-30B,118

更新时间： 2024-11-23 20:58:47
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
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14页 186K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

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BUK7607-30B,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：D2PAK包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：329 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：75 A
最大漏极电流 (ID)：108 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：157 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：435 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK7607-30B,118 数据手册

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BUK7607-30B  
AK  
D2P  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
Rev. 02 — 21 February 2011  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic  
package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to  
the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.  
1.2 Features and benefits  
„ AEC Q101 compliant  
„ Suitable for standard level gate drive  
sources  
„ Low conduction losses due to low  
on-state resistance  
„ Suitable for thermally demanding  
environments due to 175 °C rating  
1.3 Applications  
„ 12 V loads  
„ General purpose power switching  
„ Motors, lamps and solenoids  
„ Automotive systems  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
VDS  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min Typ Max Unit  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
-
-
-
-
30  
75  
V
A
[1]  
ID  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C;  
see Figure 3  
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; see Figure 2  
-
-
-
157  
7
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
Tj = 25 °C; see Figure 11;  
see Figure 12  
5.9  
mΩ  
Avalanche ruggedness  
EDS(AL)S  
non-repetitive  
drain-source avalanche  
energy  
ID = 75 A; Vsup ≤ 30 V;  
-
-
-
329 mJ  
R
GS = 50 Ω; VGS = 10 V;  
Tj(init) = 25 °C; unclamped  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 25 A;  
VDS = 24 V; Tj = 25 °C;  
see Figure 13  
12  
-
nC  
[1] Continuous current is limited by package.  
 
 
 
 
 
 
1234567...14

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BUK7607-30B,118 替代型号

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