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BUK7560-100A,127

更新时间： 2024-11-27 03:41:55

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
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15页	307K
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BUK7560-100A

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BUK7560-100A,127 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	26 A
最大漏极电流 (ID)：	26 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	106 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	106 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

BUK7560-100A,127 数据手册

BUK7560-100A;

BUK7660-100A

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 22 February 2001

Product speciﬁcation

1. Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.

Product availability:

BUK7560-100A in SOT78 (TO-220AB)

BUK7660-100A in SOT404 (D²-PAK).

2. Features

■ TrenchMOS™ technology

■ Q101 compliant

■ 175 °C rated

■ Standard level compatible.

3. Applications

■ Automotive and general purpose power switching:

◆ 12 V, 24 V and 42 V loads

◆ Motors, lamps and solenoids.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

drain (d)

source (s)

mounting base;

connected to drain (d)

MBB076

MBK116

MBK106

2 3

SOT78 (TO-220AB)

SOT404 (D²-PAK)

12 3 4 5 6 7...15

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