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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK7575-100A
BUK7575-100A PDF预览

BUK7575-100A

更新时间： 2024-11-25 22:50:23
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 131K
描述
TrenchMOS standard level FET

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BUK7575-100A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.17Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：100 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：23 A最大漏极电流 (ID)：23 A
最大漏源导通电阻：0.075 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：99 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：92 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

BUK7575-100A 数据手册

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BUK7575-100A;  
BUK7675-100A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 24 October 2000  
Product specification  
1. Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance.  
Product availability:  
BUK7575-100A in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7675-100A in SOT404 (D 2-PAK).  
2. Features  
■ TrenchMOS™ technology  
■ Q101 compliant  
■ 175 °C rated  
■ Standard level compatible.  
3. Applications  
■ Automotive and general purpose power switching:  
◆ 12 V, 24 V and 42 V loads  
c
c
◆ Motors, lamps and solenoids.  
4. Pinning information  
Table 1: Pinning - SOT78 and SOT404, simplified outline and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
mb  
2
drain (d)  
d
s
3
source (s)  
mb  
mounting base;  
connected to drain (d)  
g
MBB076  
2
1
3
MBK116  
MBK106  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
 
 
 
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BUK7575-100A 替代型号

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