Datasheet > BUK7606-55A,118

BUK7606-55A,118

更新时间： 2024-11-23 19:55:47

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	177K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BUK7606-55A,118 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	PLASTIC, D2PAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.16	雪崩能效等级（Eas）：	1100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.0063 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	230 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	616 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7606-55A,118 数据手册

BUK7606-55A

D2P

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 03 — 1 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Suitable for standard level gate drive

sources

 Low conduction losses due to low

on-state resistance

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Motors, lamps and solenoids

 Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

300

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 175 °C; see Figure 12;

see Figure 13

13.2 mΩ

on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

5.3

6.3

mΩ

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

BUK7606-55A,118 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BUK7606-55A	NXP	完全替代	TrenchMOS transistor Standard level FET

与BUK7606-55A,118相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7606-55B	NXP	获取价格	TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3, FET Gene
BUK7606-55B	PHILIPS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
BUK7606-55B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK7606-75B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7606-75B	NEXPERIA	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FETProduction
BUK7606-75B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7607-30B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7607-30B,118	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET D2PAK 3-Pin
BUK7607-55B	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7608-40B	NXP	获取价格	TRENCHMOS-TM STANDARD LEVELl FET

与BUK7606-55A,118相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

35
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

26
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

54
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7606-55A,118

BUK7606-55A,118 技术参数

BUK7606-55A,118 数据手册

BUK7606-55A,118 替代型号

与BUK7606-55A,118相关器件

与BUK7606-55A,118相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BUK7606-55A,118

BUK7606-55A,118 技术参数

BUK7606-55A,118 数据手册

BUK7606-55A,118 替代型号

与BUK7606-55A,118相关器件

与BUK7606-55A,118相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？