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BUK6E2R0-30C

更新时间： 2024-01-08 13:14:00

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恩智浦 - NXP		/
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15页	192K
描述
N-channel TrenchMOS intermediate level FET

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BUK6E2R0-30C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	1700 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0037 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1082 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK6E2R0-30C 数据手册

BUK6E2R0-30C

N-channel TrenchMOS intermediate level FET

Rev. 02 — 7 September 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Intermediate level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET)

in a plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been

designed and qualified to the appropriate AEC Q101 standard for use in high performance

automotive applications.

1.2 Features and benefits

 AEC Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

 Suitable for intermediate level gate

drive sources

1.3 Applications

 12 V Automotive systems

 Start-Stop micro-hybrid applications

 Transmission control

 Electric and electro-hydraulic power

steering

 Ultra high performance power

 Motors, lamps and solenoid control

switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1

120

306

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 16

1.9

2.2

1.7

mΩ

on-state

resistance

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 120 A; V_sup≤ 30 V;

_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...15

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与BUK6E2R0-30C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK6E2R3-40C	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK6E3R2-55C	NXP	获取价格	120A, 55V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6E3R2-55C,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E3R4-40C	NXP	获取价格	100A, 40V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6E3R4-40C,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E4R0-75C	NXP	获取价格	120A, 75V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6Y10-30P	NEXPERIA	获取价格	30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y14-40P	NEXPERIA	获取价格	40 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y19-30P	NEXPERIA	获取价格	30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y24-40P	NEXPERIA	获取价格	40 V, P-channel Trench MOSFETProduction

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