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BUK6E3R2-55C

更新时间： 2024-01-08 10:12:52

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	51K
描述
120A, 55V, 0.0048ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3

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BUK6E3R2-55C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	724 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.0048 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	245
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	861 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK6E3R2-55C 数据手册

Thermal RC network (Foster)

SPICE thermal model

BUK6E3R2-55C

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

R_th(j-mb)

thermal resistance

from junction to

mounting base

0.49

K/W

Cth₁

Cth₂

9.100E-02 F

1.600E-02 F

Cth₃

Cth₄

4.002E-03 F

1.023E-03 F

2.617E-04 F

6.690E-05 F

Cth₅

Cth₆

Cth₇

Cth₈

1.711E-05 F

4.374E-06 F

Rth₁

3.290E-01 Ω

Rth₂

Rth₃

1.210E-01 Ω

3.000E-02 Ω

7.379E-03 Ω

1.822E-03 Ω

Rth₄

Rth₅

Rth₆

Rth₇

Rth₈

4.499E-04 Ω

1.111E-04 Ω

2.744E-05 Ω

Part:

BUK6E3R2-55C

Version:

Date:

Rth

17-9-2010

0.490614391

convey or imply any license under patent- or other industrial or intellectual property rights.

Printed in the Netherlands

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与BUK6E3R2-55C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK6E3R2-55C,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E3R4-40C	NXP	获取价格	100A, 40V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6E3R4-40C,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
BUK6E4R0-75C	NXP	获取价格	120A, 75V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
BUK6Y10-30P	NEXPERIA	获取价格	30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y14-40P	NEXPERIA	获取价格	40 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y19-30P	NEXPERIA	获取价格	30 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y24-40P	NEXPERIA	获取价格	40 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y33-60P	NEXPERIA	获取价格	60 V, P-channel Trench MOSFETProduction
BUK6Y61-60P	NEXPERIA	获取价格	60 V, P-channel Trench MOSFETProduction