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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-262AA | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.76 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 523 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 75 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 120 A | 最大漏源导通电阻： | 0.006 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 670 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK6Y10-30P | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK6Y14-40P | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK6Y19-30P | NEXPERIA |
获取价格 |
30 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK6Y24-40P | NEXPERIA |
获取价格 |
40 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK6Y33-60P | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK6Y61-60P | NEXPERIA |
获取价格 |
60 V, P-channel Trench MOSFETProduction |
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| BUK7105-40AIE | NXP |
获取价格 |
TrenchPLUS standard level FET |
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| BUK7105-40AIE/T3 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,40V V(BR)DSS,155A I(D),TO-263BB |
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| BUK7105-40ATE | NXP |
获取价格 |
TrenchPLUS standard level FET |
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| BUK7105-40ATE,118 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchPLUS standard level FET D2PAK 5-Pin |
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