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BUK7108-40AIE

更新时间： 2024-10-01 20:22:23

品牌	Logo	应用领域
飞利浦 - PHILIPS		脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	117K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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BUK7108-40AIE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	221 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

BUK7108-40AIE 数据手册

BUK71/7908-40AIE

TrenchPLUS standard level FET

Rev. 02 — 24 October 2003

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology, featuring very low on-state resistance, TrenchPLUS

current sensing and diodes for ESD protection.

1.2 Features

■ ESD protection

■ Integrated current sensor

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible.

1.3 Applications

■ Variable Valve Timing for engines

■ Electrical Power Assisted Steering.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 40 V

■ I_D≤ 117 A

■ R_DSon= 6 mΩ (typ)

■ I_D/I_sense= 500 (typ).

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT426 and SOT263B, simpliﬁed outline and symbol

Simpliﬁed outline

Pin Description

Symbol

gate (g)

sense current (I_sense

)

drain (d)

Kelvin source

source (s)

2 3 4 5

mb mounting base;

connected to drain (d)

MBL368

sense

Kelvin source

Front view

MBK127

MBL263

SOT426 (D2-PAK)

SOT263B (TO-220AB)

12 3 4 5 6 7...16

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