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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> BUK72150-55A
BUK72150-55A PDF预览

BUK72150-55A

更新时间： 2024-11-24 22:17:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 249K
描述
TrenchMOS standard level FET

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BUK72150-55A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：PLASTIC, SC-63, DPAK-3针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：16 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：36 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BUK72150-55A 数据手册

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BUK72150-55A  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 02 — 20 November 2003  
Product data  
M3D300  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips General-Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS™ technology.  
1.2 Features  
■ Very low on-state resistance  
■ 175 °C rated  
■ Q101 compliant  
■ Standard level compatible.  
1.3 Applications  
■ Automotive systems  
■ 12 V and 24 V loads  
■ Motors, lamps and solenoids  
■ General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
■ EDS(AL)S ≤ 16 mJ  
■ ID ≤ 11 A  
■ RDSon = 127 mΩ (typ)  
■ Ptot ≤ 36 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT428 (D-PAK), simplified outline and symbol  
Simplified outline  
Pin Description  
Symbol  
1
2
3
gate (g)  
d
mb  
[1]  
drain (d)  
source (s)  
g
mb mounting base;  
connected to  
s
MBB076  
drain (d)  
2
1
3
Top view  
MBK091  
SOT428 (D-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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