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BUK7506-55B

更新时间: 2024-11-24 21:55:43
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恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
15页 279K
描述
TrenchMOS standard level FET

BUK7506-55B 技术参数

Source Url Status Check Date:2013-06-14 00:00:00是否Rohs认证:符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC, SC-46, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.18Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):680 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):75 A最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.006 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):254 W最大脉冲漏极电流 (IDM):582 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

BUK7506-55B 数据手册

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BUK75/7606-55B  
TrenchMOS™ standard level FET  
Rev. 01 — 31 March 2003  
Product data  
1. Product profile  
1.1 Description  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using  
Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.  
Product availability:  
BUK7506-55B in SOT78 (TO-220AB)  
BUK7606-55B in SOT404 (D2-PAK).  
1.2 Features  
Very low on-state resistance  
175 °C rated  
Q101 compliant  
Standard level compatible.  
1.3 Applications  
Automotive systems  
12 V and 24 V loads  
Motors, lamps and solenoids  
General purpose power switching.  
1.4 Quick reference data  
EDS(AL)S 680 mJ  
ID 75 A  
RDSon = 5.1 m(typ)  
Ptot 254 W.  
2. Pinning information  
Table 1:  
Pinning - SOT78 and SOT404 simplified outlines and symbol  
Pin  
1
Description  
gate (g)  
Simplified outline  
Symbol  
mb  
[1]  
mb  
2
drain (d)  
d
3
source (s)  
mb  
mounting base,  
connected to  
drain (d)  
g
s
MBB076  
2
MBK106  
1
3
MBK116  
1
2 3  
SOT78 (TO-220AB)  
SOT404 (D2-PAK)  
[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT404 package.  

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