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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.82 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ESD PROTECTION |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 200 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 68 A | 最大漏极电流 (ID)： | 68 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.014 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 270 pF | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 142 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 142 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 105 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 111 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| BUK7514-55A,127 | NXP |
功能相似  |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7514-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7514-55A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK7514-60 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 68A I(D) | TO-220AB |
|
| BUK7514-60E | NXP |
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58A, 60V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
|
| BUK7514-60E,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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| BUK75150-55A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS standard level FET |
|
| BUK75150-55A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
|
| BUK7515-100A | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7516-55A | NXP |
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TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7518-30 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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