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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | ESD PROTECTION |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 80 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 55 A | 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BUK7518-30127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
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| BUK7518-55 | NXP |
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TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7518-55,127 | NXP |
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57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| BUK7518-55127 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 57 A, 55 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp |
|
| BUK751R8-40E | NXP |
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120A, 40V, 0.0018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN |
|
| BUK7520-100A | NXP |
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TrenchMOS standard level FET |
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| BUK7520-55 | NXP |
获取价格 |
TrenchMOS transistor Standard level FET |
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| BUK7520-55A | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using Trench |
|
| BUK7520-55A | PHILIPS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| BUK7520-55A,127 | NXP |
获取价格 |
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin |
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