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BUK752R3-40C

更新时间： 2024-10-01 09:02:23

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-channel TrenchMOS standard level FET

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BUK752R3-40C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	276 A	最大漏极电流 (ID)：	100 A
最大漏源导通电阻：	0.0023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	333 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1104 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK752R3-40C 数据手册

BUK752R3-40C

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 03 — 26 January 2009

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level gate drive N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a

plastic package using advanced TrenchMOS technology. This product has been designed

and qualified to the appropriate AEC standard for use in high performance automotive

applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Avalanche robust

Suitable for standard level gate drive

Suitable for thermally demanding

environment up to 175°C rating

1.3 Applications

12V Motor, lamp and solenoid loads

High performance Pulse Width

Modulation applications

High performance automotive power

systems

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

[1] -

100

see Figure 1; see Figure 3; [2]

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

333

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 32 V; see Figure 15

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

1.96 2.3

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

I_D= 100 A; V_sup≤ 40 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

1.2

drain-source avalanche

energy

[1] Refer to document 9397 750 12572 for further information.

[2] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK752R3-40E	NXP	获取价格	120A, 40V, 0.0023ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK752R7-30B	NXP	获取价格	75A, 30V, 0.0027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK752R7-60E	NXP	获取价格	120A, 60V, 0.0026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK7535-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7535-100A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK7535-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7535-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7535-55A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK753R1-40B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-220AB
BUK753R1-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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