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BUK752R7-60E

更新时间： 2024-11-25 21:15:39

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	208K
描述
120A, 60V, 0.0026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN

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BUK752R7-60E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	660 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.0026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	995 A
参考标准：	AEC-Q101; IEC-60134	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK752R7-60E 数据手册

BUK752R7-60E

N-channel TrenchMOS standard level FET

11 September 2012

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.

This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high

performance automotive applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Repetitive avalanche rated

Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating

True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1V at 175 °C

•

1.3 Applications

12 V Automotive systems

•

Electric and electro-hydraulic power steering

Motors, lamps and solenoid control

Start-Stop micro-hybrid applications

Transmission control

Ultra high performance power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C; Fig. 1

[1]

120

349

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; Fig. 2

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

Fig. 11

2.1

2.6

mΩ

I_D= 25 A; V_DS= 48 V; V_GS= 10 V;

Fig. 13; Fig. 14

45.5

[1] Continuous current is limited by package.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BUK7535-100A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7535-100A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK7535-55	NXP	获取价格	TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7535-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
BUK7535-55A,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK753R1-40B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 75A I(D) \| TO-220AB
BUK753R1-40B,127	NXP	获取价格	N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK753R1-40E	NXP	获取价格	100A, 40V, 0.0031ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN
BUK753R4-30B	NXP	获取价格	TRANSISTOR 198 A, 30 V, 0.0034 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAG
BUK753R5-60E	NXP	获取价格	120A, 60V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN

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