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BUK7535-100A,127

更新时间： 2024-10-01 19:41:15

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	200K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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BUK7535-100A,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.18	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	41 A
最大漏极电流 (ID)：	41 A	最大漏源导通电阻：	0.035 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	149 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	165 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7535-100A,127 数据手册

BUK7535-100A

-220AB

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 21 February 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

AEC Q101 compliant

Suitable for standard level gate drive

sources

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Motors, lamps and solenoids

Automotive and general purpose

power switching

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

100

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

149

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 175 °C; see Figure 12;

see Figure 13

mΩ

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12;

see Figure 13

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive drain-source I_D= 25 A; V_sup≤ 100 V;

avalanche energy _GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

110 mJ

12 3 4 5 6 7...14

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