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BUK7514-60E

更新时间： 2024-11-22 03:17:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP /
页数 文件大小 规格书
12页 209K
描述
58A, 60V, 0.013ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN

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BUK7514-60E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：37 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：58 A
最大漏源导通电阻：0.013 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：234 A
参考标准：AEC-Q101; IEC-60134表面贴装：NO
端子面层：TIN端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

BUK7514-60E 数据手册

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BUK7514-60E  
N-channel TrenchMOS standard level FET  
11 September 2012  
Product data sheet  
1. Product profile  
1.1 General description  
Standard level N-channel MOSFET in a SOT78 package using TrenchMOS technology.  
This product has been designed and qualified to AEC Q101 standard for use in high  
performance automotive applications.  
1.2 Features and benefits  
AEC Q101 compliant  
Repetitive avalanche rated  
Suitable for thermally demanding environments due to 175 °C rating  
True standard level gate with VGS(th) rating of greater than 1V at 175 °C  
•
•
•
•
1.3 Applications  
12 V Automotive systems  
•
•
•
•
•
Motors, lamps and solenoid control  
Start-Stop micro-hybrid applications  
Transmission control  
Ultra high performance power switching  
1.4 Quick reference data  
Table 1.  
Symbol  
Quick reference data  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
60  
Unit  
V
VDS  
ID  
drain-source voltage  
drain current  
Tj ≥ 25 °C; Tj ≤ 175 °C  
VGS = 10 V; Tmb = 25 °C; Fig. 1  
-
-
-
-
-
-
58  
A
Ptot  
total power dissipation Tmb = 25 °C; Fig. 2  
96  
W
Static characteristics  
RDSon drain-source on-state  
resistance  
Dynamic characteristics  
QGD gate-drain charge  
VGS = 10 V; ID = 15 A; Tj = 25 °C;  
Fig. 11  
-
-
9.6  
6.9  
13  
-
mΩ  
nC  
ID = 15 A; VDS = 48 V; VGS = 10 V;  
Fig. 13; Fig. 14  
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BUK7514-60E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP65NF06 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-channel 60V - 11.5mヘ - 60A - DPAK/TO-220 ST
STP60NF06L STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 60V - 0.012 OHM - 60A TO-220/TO-220

与BUK7514-60E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUK7514-60E,127 NXP

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 		N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK75150-55A NXP

获取价格

 		TrenchMOS standard level FET
BUK75150-55A,127 NXP

获取价格

 		N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin
BUK7515-100A NXP

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 		TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7516-55A NXP

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 		TrenchMOS standard level FET
BUK7518-30 NXP

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 		TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7518-30,127 NXP

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 		55A, 30V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
BUK7518-30127 NXP

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 		TRANSISTOR 55 A, 30 V, 0.018 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
BUK7518-55 NXP

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 		TrenchMOS transistor Standard level FET
BUK7518-55,127 NXP

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 		57A, 55V, 0.018ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

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