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BUK7507-55B,127

更新时间： 2024-10-01 19:56:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	181K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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BUK7507-55B,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	雪崩能效等级（Eas）：	351 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	119 A	最大漏源导通电阻：	0.0071 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	203 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	478 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7507-55B,127 数据手册

BUK7507-55B

O-220AB

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 2 — 26 July 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

 Low conduction losses due to low

 Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

 Q101 compliant

 Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

 12 V and 24 V loads

 Automotive systems

 General purpose power switching

 Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

I_D

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

203

7.1

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 11;

see Figure 12

5.8

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

avalanche energy

I_D= 75 A; V_sup≤ 55 V;

351 mJ

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

V_DS= 44 V; T_j= 25 °C;

see Figure 13

[1] Continuous current is limited by package.

12 3 4 5 6 7...14

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