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BUK7513-75B,127

更新时间： 2024-11-21 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	173K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET TO-220 3-Pin

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BUK7513-75B,127 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220	包装说明：	PLASTIC, SC-46, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.2	雪崩能效等级（Eas）：	125 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	75 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	75 A
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.013 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	157 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	304 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

BUK7513-75B,127 数据手册

BUK7513-75B

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 25 November 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified to

the appropriate AEC standard for use in automotive critical applications.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

Suitable for standard level gate drive

on-state resistance

sources

Q101 compliant

Suitable for thermally demanding

environments due to 175 °C rating

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Symbol

V_DS

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

drain-source

voltage

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

I_D

drain current

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1; see Figure 3

P_tot

total power

dissipation

T_mb= 25 °C; see Figure 2

157

Static characteristics

R_DSondrain-source

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; T_j= 25 °C;

11.7 13

mΩ

on-state resistance see Figure 11; see Figure 12

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)S

non-repetitive

drain-source

I_D= 75 A; V_sup≤ 75 V;

R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

125 mJ

avalanche energy T_j(init)= 25 °C; unclamped

Dynamic characteristics

Q_GDgate-drain charge

V_GS= 10 V; I_D= 25 A; V_DS= 60 V;

T_j= 25 °C; see Figure 13

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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BUK7514-30127	NXP	获取价格	TRANSISTOR 69 A, 30 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purp
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BUK7514-55A	NXP	获取价格	TrenchMOS standard level FET
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