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BUK7226-75A/T3

更新时间： 2024-10-01 14:48:11

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
13页	185K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,75V V(BR)DSS,45A I(D),TO-252AA

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BUK7226-75A/T3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	45 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	158 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BUK7226-75A/T3 数据手册

BUK7226-75A

N-channel TrenchMOS standard level FET

Rev. 02 — 22 February 2008

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic

package using NXP General Purpose Automotive (GPA) TrenchMOS technology. This

product has been designed and qualified to the appropriate AEC standard for use in

automotive critical applications.

1.2 Features

175 °C rated

Q101 compliant

Low on-state resistance

Standard level compatible

1.3 Applications

12 V, 24 V and 42 V loads

Automotive systems

General purpose power switching

Motors, lamps and solenoids

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference

Symbol Parameter

Conditions

Min Typ Max Unit

V_DS

I_D

drain-source voltage

drain current

T_j≥ 25 °C; T_j≤ 175 °C

[1]

V_GS= 10 V; T_mb= 25 °C;

see Figure 1 and 4

P_tot

T_j

total power dissipation T_mb= 25 °C; see Figure 2

158

junction temperature

-55

175 °C

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

resistance

V_GS= 10 V; I_D= 25 A;

T_j= 25 °C; see Figure 12 and

mΩ

Avalanche ruggedness

E_DS(AL)Snon-repetitive

I_D= 45 A; V_sup≤ 75 V;

215 mJ

drain-sourceavalanche R_GS= 50 Ω; V_GS= 10 V;

energy

T_j(init)= 25 °C; unclamped

inductive load

[1] Capped at 45 A due to bondwire.

12 3 4 5 6 7...13

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