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BUK7227-100B

更新时间： 2024-09-30 22:17:31

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恩智浦 - NXP		/
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TrenchMOS standard level FET

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BUK7227-100B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	PLASTIC, SC-63, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.23	雪崩能效等级（Eas）：	145 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.027 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	185 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	196 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BUK7227-100B 数据手册

BUK7227-100B

TrenchMOS™ standard level FET

Rev. 01 — 26 January 2004

Product data

M3D300

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect power transistor in a plastic package using

Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Very low on-state resistance

■ 185 °C rated

■ Q101 compliant

■ Standard level compatible.

1.3 Applications

■ Automotive systems

■ 12 V, 24 V and 42 V loads

■ Motors, lamps and solenoids

■ General purpose power switching.

1.4 Quick reference data

■ E_DS(AL)S≤ 145 mJ

■ I_D≤ 48 A

■ R_DSon= 23 mΩ (typ)

■ P_tot≤ 167 W.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT428 (D-PAK), simpliﬁed outline and symbol

Pin Description

Simpliﬁed outline

Symbol

gate (g)

[1]

drain (d)

source (s)

mb mounting base;

connected to

MBB076

drain (d)

Top view

MBK091

SOT428 (D-PAK)

[1] It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 package.

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